Medições em componentes eletrônicos parte 4

Ola!

Depois de um tenebroso inverno, darei continuidade ao artigo sobre medições em componentes eletrônicos parte quatro, e dessa vez estudaremos o transistor "MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor)".

O transistor Mosfet é o componente semicondutor mais importante fabricado atualmente, e também o mais sensível a ESD, é conhecido como transistor unipolar porque a condução de corrente acontece por apenas um tipo de portador (elétron ou lacuna), dependendo do tipo do Mosfet, de canal n ou de canal p, sendo o canal n o mais comum por apresentar menor perda e maior velocidade de comutação devido a mobilidade dos elétrons. O nome “efeito de campo” decorre do fato do mecanismo de controle do componente ser baseado no campo elétrico estabelecido pela tensão aplicada no terminal de controle (Gate/Porta).

Simbologia do MOSFETs:

Tem como grande vantagem a alta velocidade de comutação e boa eficiência em baixa tensão. O transistor Mosfet de potencia é o switch mais usado para baixa tensão (menos de 200 V). Pode ser encontrado em diversas fontes de alimentação, conversores DC/DC, controle de motor em baixa tensão e controles de potencias luminosas (backlight).

Quando usar MOSFETs:

  1. Frequências altas (acima de 50 kHz);

  2. Tensões muito baixas (< 500 V);

  3. Potências baixas (< 1 kW) .

                                                                 Mosfet canal N

Medindo com o multímetro DIGITAL.

O teste desse componente e bem simples e pode ser feito pelo multímetro digital na escala de diodo e continuidade. Devido a sua característica de possuir um Gate isolado de Dreno e Source pelo oxido de silício, não deveremos encontrar condução entre Gate e Dreno e Gate e Source em nenhum dos lados (medido fora da placa), acontecendo condução indicara que o transistor esta danificado (curto). 

Se a leitura for feita diretamente na placa deveremos considerar o circuito associado em seus terminais, portanto o multímetro poderá marcar algum valor.
O que não poderá acontecer e esse valor encontrado estar próximo de zero, isso indicaria um curto no componente.

Medindo com o multímetro ANALÓGICO.

Coloque a chave seletora do multímetro analógico na escala de 10K, e verifique se o gate (G) conduz com algum dos terminais restantes dreno (D) e source (S). Se o gate conduzir com algum dos terminais o transistor MOSFET esta em curto.

Observe que aplicando a ponta preta no gate, o MOSFET dispara (canal N). ou seja passa a conduzir nos dois sentidos entre dreno e source. E aplicando a ponta vermelha no gate ele volta a sua condição inicial, ou seja conduz só no sentido do diodo interno.

Até a proxima.